中科院院士中国光刻技术与国外差距1520年

放大字体  缩小字体 2019-09-17 15:52:44  阅读:9297 作者:责任编辑NO。蔡彩根0465

国内开展半导体工业的决计现已无需多言,现在国内最单薄的范畴仍是芯片制作,而在这方面咱们又短少顶级的半导体出产设备,尤其是光刻技能,这是半导体芯片出产中的中心工艺。

在2019我国集成电路设计大会上,中科院微电子所的院士刘明也谈到了国内集成电路方面的一些技能根底,尤其是光刻方面,指出了在光刻技能方面的发展与缺乏。

依据刘明院士所说,我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超润滑抛光技能等方面取得了一些研究发展,可是整体来说,国内的光刻技能与国外技能距离仍然有15到20年,是整个集成电路中距离最大的环节。

此前咱们报导过,现在荷兰ASML公司的EUV光刻机现已能够制作7nm及以下工艺,可是国内的光刻机只能做到90nm工艺等级,多数是用在低端出产线上,或者是面板出产线上,28nm及以下的工艺仍然需求进口ASML的光刻机才干处理。

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